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DRAM ETF 永续交易指南:Roundhill 内存基金登陆 Hyperliquid,$250 亿 AUM 的 AI 存储赛道

Hyperliquid 中文教程 · · 7 分钟阅读
DRAM 内存ETF Roundhill RWA 半导体 AI HIP-3

Roundhill Memory ETF(代码 DRAM)是 2026 年 4 月 2 日上市的全球首只专注内存半导体的 ETF,持仓覆盖生产 HBM 高带宽内存、NAND 和 DRAM 的全球龙头企业。上市不到四个月,AUM 突破 250 亿美元,超越跟踪韩国股市的 EWY(iShares 南韩 ETF),成为 AI 存储赛道最大的单一基金入口。Hyperliquid xyz 市场已将其上线为永续合约,当前价格约 $50.60,最高 20 倍杠杆,24/7 可交易。

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DRAM 是什么

DRAM ETF 不是做半导体行业的宽基 ETF,而是精准切内存这一细分:

  • HBM(高带宽内存):英伟达每块 GPU 的必需品,AI 训练和推理的性能瓶颈就在这里
  • NAND 闪存:数据中心存储层,AI 数据集、模型权重都要存在这
  • DRAM:服务器内存,随 AI 推理规模扩张,每台服务器的 DRAM 配置也在加速升级

基金前几大持仓是三星(Samsung)、海力士(SK Hynix/SKHX)美光科技(MU) 以及铠侠(Kioxia)、西部数据旗下闪迪(SNDK)等,整体约一半权重在韩国公司,另一半分布在美日存储企业。

为什么 AUM 突破 $250 亿

EWY 是老牌韩国 ETF,持仓本质上是三星 + 海力士 + 韩国银行的混合,“AI 内存”只是顺带暴露,不是主题。DRAM 则是纯粹押内存,逻辑清晰:

AI 资本开支扩张 → HBM 需求暴增 → 三星 / 海力士 / 美光是最直接受益者 → DRAM ETF 是打包这三家最便捷的路。

机构资金一旦认可这个叙事,流入速度非常快。EWY 用了十多年积累的 AUM,DRAM 用四个月就超过了,说明资金在主动”换车”——从韩国宽基换到内存主题。

DRAM 永续合约规格

属性数据
链上代码xyz:DRAM
标的Roundhill Memory ETF(BATS: DRAM)
当前价格约 $50.60(2026 年 8 月 8 日)
类型合成永续合约(HIP-3)
保证金USDC
交易时间7×24 小时
最高杠杆20x
结算链上实时

SKHXMU 等 RWA 永续合约一样,交易体验完全一致:连钱包、充 USDC、选 xyz:DRAM、设杠杆下单,不需要美股账户,周末和盘后都能交易。

DRAM 和 EWY:一个对比

维度DRAM ETFEWY(南韩 ETF)
主题全球内存半导体韩国股市宽基
主要持仓三星、海力士、美光、Kioxia、SNDK三星、海力士 + 韩国银行、消费
AUM(2026 年 8 月)超 $250 亿约 $160 亿
上市时间2026 年 4 月 2 日2000 年
AI 内存纯度高,专项持仓低,稀释在韩国宽基里
链上永续xyz:DRAM(20x)xyz:EWY(20x)

两者都能在 Hyperliquid 上交易,选择取决于你想要的精准度:DRAM 是纯内存赛道,EWY 带更多韩国宏观 β。

怎么看后续

多头逻辑取决于 AI 资本开支的持续性:英伟达、微软、谷歌的 GPU 集群建设不停,HBM 订单就不会停,三星和海力士的内存营收就有支撑,DRAM ETF 的 NAV 就有增长基础。

风险在于周期性:内存半导体是强周期品种,供需格局翻转很快。2022-2023 年那次供过于求,三星海力士的股价跌了 40-60%;一旦 AI 叙事出现边际变化,DRAM ETF 里的持仓会同向放大跌幅。永续合约叠加杠杆会进一步放大这种波动。

⚠️ 注意

xyz:DRAM 是合成永续合约,追踪 Roundhill Memory ETF 价格,并不代表你持有该 ETF 份额,不能赎回成基金单位或正股。面向符合条件的非美国/非受限地区用户,请确认所在地法规允许。本文不构成投资建议。

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